氮化铝具有优异的导热性（是氧化铝陶瓷的 5-10 倍），介电常数和介电损耗低，绝缘性能可靠，机械性能优异，无毒，耐高温，耐化学腐蚀，与硅的热膨胀系数相近。氮化铝陶瓷广泛应用于通讯设备、高亮度 LED、电力电子器件等行业，是大规模集成电路理想的散热基板和封装材料。我公司可根据客户要求生产各种规格、尺寸和形状的产品。.
氮化铝基板 是新一代高性能陶瓷基板。它具有高热导率（理论值为 319w/m.k，而实际热导率大于 140W/m.k）、低介电常数（8.8）和介质损耗（~ 4）×104）以及热膨胀系数（4.4×10-4/℃），化学成分 Al 65.81%，N 34.19%，比重 3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶体无色透明，氮化铝基材的升华和分解温度为常压下 2450℃。.
氮化铝陶瓷具有热导率高、电性能好、热膨胀系数接近硅片、强度高、耐高温、耐化学腐蚀、电阻率高、介质损耗低、无毒等特点。氮化铝是替代 BeO 陶瓷的理想材料，也是大规模集成电路理想的散热基板和封装材料。.
氮化铝基板主要用作高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电元件、半导体制冷等产品的高性能基板材料和封装材料。它广泛应用于通信设备、高亮度 LED、电力电子设备等行业。.