卓越的绝缘性和强度 - 优质氮化铝解决方案

氮化铝（AlN）属于第三类氮化物，具有优异的导热性、电阻、低热膨胀性和无毒等特性。氮化铝可通过直接氮化和铝金属碳热还原等方法生产。.

Valley Design 的氮化铝陶瓷基板散热快，是混合、功率和射频/微波电子应用的理想材料选择。AlN 陶瓷基板具有卓越的介电强化性能和绝缘性能，是最理想的材料。.

高导热性

由于电子装置和设备的技术进步，对氮化铝的需求量巨大，特别是由于氮化铝具有优异的导热性能，可使电子元件有效散热。此外，氮化铝还能保护这些元件免受高温环境的腐蚀，同时提供比氧化铍陶瓷基板更强的电绝缘性。.

这种材料具有出色的化学稳定性，可以承受氧化、酸碱腐蚀、高温应用和紫外线（UV）光应用等苛刻条件。.

氮化铝与 BeO 的不同之处在于它无毒，即使在工业环境中也可安全处理，而且可以使用 DCB（直接铜键合）直接金属化，因此特别适用于电力电子、射频/微波应用、氮化镓半导体器件（如射频放大器和 LED）的外延生长。.

出色的电气绝缘性

在需要电绝缘、无毒基底材料的混合动力、电力和微波电子应用中，氮化铝（AlNi）是氧化铍的环保型替代材料。此外，氮化铝的热膨胀率低，与硅晶片材料的热膨胀率相匹配，有利于热量管理，同时使大功率电子设备以最高性能效率运行。.

氮化铝在光电子领域发挥着不可或缺的作用，它是氮化镓（GaN）发光二极管的基板，可提高设备性能和使用寿命，同时其卓越的热管理特性使其成为热界面材料（TIM）和其他绝缘层的重要组成部分。.

氮化铝与氧化锆增韧氧化铝（ZTA）等大多数陶瓷材料的显著不同之处在于，氮化铝可以承受快速的温度变化而不会受到热冲击，同时其出色的耐磨性使其成为用于传感器、轴承和机床部件等耐磨表面的绝佳材料。此外，其出色的导热性能为热量在这些恶劣环境中快速散失提供了有效途径，同时改善了摩擦学特性--这些特性对于在此类恶劣环境中成功运行的设备至关重要。.

低热膨胀

氮化铝具有极低的热膨胀系数（CTE），这意味着其温度变化不会导致其显著膨胀或收缩，使其成为必须最大限度减少发热和功率损耗的高速电子和 LED 照明应用的理想基底材料。.

氮化铝是一种出色的电绝缘体，可防止电流流动和能量泄漏。因此，对于必须与氮化镓基 LED 兼容的电子基板、绝缘体和元件来说，氮化铝是一种极具吸引力的材料选择。.

AIN 是一种理想的无毒陶瓷材料，适用于许多高性能绿色技术应用，包括牵引（火车和地铁系统）、发电（风能和水电）、混合动力电动汽车（将制动时产生的电能回收用于发电）以及热管理器件（如金属化氮化铝铜带或网状三维器件结构），以满足日益增长的热管理需求。Surmet 正在开发新的氮化铝产品，以满足这些应用中日益增长的热管理需求。.

卓越的耐腐蚀性

氮化铝具有很强的耐腐蚀性，适用于其他材料无法胜任的恶劣环境。它能抵抗大多数酸和碱的化学侵蚀，同时具有极高的玻璃转化温度和耐磨性。此外，氮化铝还具有无毒性和生物相容性，因此适用于医疗设备。.

氮化铝涂层可应用于碳化钨或不锈钢等各种基材，以提供防腐和耐磨性能，并已成功沉积在声波传感器、轴承和机床部件等组件上。.

氮化铝陶瓷具有 170W/mk 的超高导热率，是 Valley 陶瓷材料中最高的。由于其电气绝缘和介电特性，这种材料是印刷电路板的绝佳选择；此外，由于其热膨胀系数低，大功率模块的设计人员在构建模块时可将氮化铝陶瓷与硅元件一起使用。.

氧化铝基涂层具有卓越的摩擦学特性，被广泛应用于各种工业领域，如加工工具、切割刀片和光学过滤器。此外，这种基材还是微电子和 LED 照明技术的基础材料。.

高强度

氮化铝的高强度使其成为一种极佳的绝缘材料，可用于需要卓越机械性能的电子应用中，如振动水平较高的汽车或航空航天环境。由于氮化铝具有低热膨胀性和电阻特性，它能迅速从电路板上散热，因此不会因过热而导致其中的元件发生故障，这在汽车制造商的汽车经销商或航空航天环境等振动环境中尤其有用。.

氧化铍（beO）基底材料在室温下的热导率高达 170 W/mK，并具有介电特性，是许多半导体应用中的理想替代材料，同时它的无毒性使得加工时没有风险，也不需要防护面具，而在使用氧化铍基底材料时通常需要防护面具。.

Tokuyama 的微粉和微粒具有极低的杂质含量，结合独特的氮化物还原制造技术，有助于生产出具有优异物理特性的烧结体，包括较强的机械强度、多种表面处理选择和公差以及高导热性。.