Aluminiumnitrid har fremragende varmeledningsevne (5-10 gange aluminiumoxidkeramik), lav dielektrisk konstant og dielektrisk tab, pålidelig isoleringsevne, fremragende mekaniske egenskaber, ikke-giftig, høj temperaturbestandighed, kemisk korrosionsbestandighed og svarer til den termiske udvidelseskoefficient for silicium. Aluminiumnitridkeramik bruges i vid udstrækning i kommunikationsenheder, lysdioder med høj lysstyrke, kraftelektroniske enheder og andre industrier, det er et ideelt varmeafledningssubstrat og emballagemateriale til store integrerede kredsløb. Vores virksomhed kan producere produkter med forskellige specifikationer, størrelser og former i henhold til kundernes krav.
Substrater af aluminiumnitrid er en ny generation af højtydende keramiske substrater. Det har høj varmeledningsevne (teoretisk værdi er 319w / m.k, og den termiske ledningsevne er større end 140W / m.k), lav dielektrisk konstant (8,8) og dielektrisk tab (~ 4) × 104) og termisk ekspansionskoefficient (4.4 × 10-4 / ℃), kemisk sammensætning Al 65,81%, N 34,19%, specifik tyngdekraft 3,261 g / cm3, hvid eller gråhvid, enkeltkrystal farveløs og gennemsigtig, sublimering og nedbrydningstemperatur af aluminiumnitridsubstrater er 2450 ℃ ved atmosfærisk tryk.
Aluminiumnitridkeramik har høj varmeledningsevne, gode elektriske egenskaber, varmeudvidelseskoefficient tæt på Si-chip, høj styrke, høj temperaturbestandighed, kemisk korrosionsbestandighed, høj resistivitet, lavt dielektrisk tab og ikke-toksicitet. Aluminiumnitrid er et ideelt materiale til at erstatte BeO-keramik og et ideelt varmeafledningssubstrat og emballagemateriale til integrerede kredsløb i stor skala.
Aluminiumnitridsubstrater bruges hovedsageligt som højtydende substratmaterialer og emballagematerialer i hybridkredsløb med høj densitet, mikrobølgeeffektenheder, effektelektroniske enheder, optoelektroniske komponenter, halvlederkøling og andre produkter. Det bruges i vid udstrækning i kommunikationsenheder, LED med høj lysstyrke, kraftelektroniske enheder og andre industrier.